F4-50R06W1E3
F4-50R06W1E3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止（fieldstop），這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優勢。該技術可使靜態和動態損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產品的功率范圍。硅片結溫可高達175℃，運行溫度可達150℃。低損耗，F4-50R06W1E3 IGBT模塊具有低EMI噪聲，高可靠性，高運行結溫等優點。主要應用在100KW光伏逆變器，電機驅動，電源等領域。
技術參數：
? Ic(A),Tc=80℃ 50
? Vce(sat),Max(V) 1.9
? Ton(us) 0.023
? Toff(us) 0.22
? Rth(j-c),K/W 0.66
? Pc(W) 225
? 封裝 EasyPACK 1B
? 電路結構 H橋（四單元）
性能概要：
? 低電感設計
? 低開關損耗
? 溝道型IGBT3
? 低V(CESAT)
? 緊湊的設計
? 堅固的安裝
優點：
? 緊湊的模塊概念
? 優化開發周期和成本
? 配置靈活性
目標應用：
? 電機控制和驅動
? 太陽能系統解決方案
對于完整的太陽能電力解決方案的主導產品
? 不間斷電源（UPS）
? 家庭設備
